ทรานซิสเตอร์สองขั้วและสนามผล - ความแตกต่างคืออะไร

ปัจจุบันหรือสาขา

คนส่วนใหญ่ไม่ทางใดก็ทางหนึ่งเผชิญกับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ควรรู้จักอุปกรณ์พื้นฐานของผลกระทบภาคสนามและทรานซิสเตอร์สองขั้ว อย่างน้อยจากชื่อ "สนามเอฟเฟ็กต์ทรานซิสเตอร์" เป็นที่ชัดเจนว่ามันถูกควบคุมโดยสนามสนามไฟฟ้าของชัตเตอร์ในขณะที่ ทรานซิสเตอร์สองขั้วควบคุมโดยฐานปัจจุบัน.

กระแสน้ำและสนาม - ความแตกต่างคือสิ่งสำคัญ สำหรับทรานซิสเตอร์สองขั้วกระแสของตัวสะสมจะถูกควบคุมโดยการเปลี่ยนกระแสควบคุมของฐานในขณะที่การควบคุมกระแสระบายของทรานซิสเตอร์สนามผลก็พอที่จะเปลี่ยนแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ระหว่างประตูและแหล่งที่มาและไม่จำเป็นต้องควบคุมปัจจุบันอีกต่อไป

FET เร็วขึ้น

สิ่งที่ ทรานซิสเตอร์ สนามที่ดีขึ้นหรือสองขั้ว? ข้อดีของทรานซิสเตอร์ภาคสนามเมื่อเปรียบเทียบกับทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์มีความชัดเจน: ทรานซิสเตอร์ภาคสนามมีความต้านทานอินพุตสูงในกระแสตรงและการควบคุมที่ความถี่สูงไม่ทำให้ต้นทุนพลังงานสูง

การสะสมและการสลายตัวของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยนั้นไม่มีอยู่ในทรานซิสเตอร์สนามแม่เหล็กซึ่งเป็นสาเหตุว่าทำไมความเร็วของพวกมันจึงสูงมาก และเนื่องจากการถ่ายโอนผู้ให้บริการหลักมีหน้าที่รับผิดชอบในการขยายในทรานซิสเตอร์ภาคสนามผลขีด จำกัด บนของการขยายที่มีประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์สนามผลสูงกว่าของสองขั้ว

ที่นี่เรายังทราบถึงความเสถียรของอุณหภูมิสูงการรบกวนในระดับต่ำ (เนื่องจากขาดการฉีดของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยเช่นที่เกิดขึ้นในผู้ให้บริการสองขั้ว) และเศรษฐกิจในแง่ของการใช้พลังงาน

ปฏิกิริยาที่แตกต่างกับความร้อน

หากทรานซิสเตอร์สองขั้วเกิดความร้อนขึ้นในระหว่างการทำงานของอุปกรณ์ดังนั้นกระแสของตัวสะสมและตัวส่งสัญญาณจะเพิ่มขึ้นนั่นคือค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทานของทรานซิสเตอร์สองขั้วเป็นลบ

ในฟิลด์ตรงกันข้ามเป็นจริง - ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของแหล่งระบายน้ำเป็นบวกนั่นคือเมื่อเพิ่มอุณหภูมิความต้านทานของช่องสัญญาณก็จะเพิ่มขึ้นนั่นคือกระแสของแหล่งระบายจะลดลง กรณีนี้ทำให้ได้ผลดีกว่าทรานซิสเตอร์สองขั้วเมื่อเปรียบเทียบกับฟิลด์สองขั้ว: ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ผลสามารถเชื่อมต่อได้อย่างปลอดภัยในแนวขนานและไม่จำเป็นต้องมีตัวต้านทานปรับระดับในวงจรของท่อระบายน้ำเนื่องจากตามการเพิ่มขึ้นของโหลด

ดังนั้นเพื่อให้ได้กระแสสวิตชิ่งสูงคุณสามารถกดคีย์คอมโพสิตจากทรานซิสเตอร์เอฟเฟ็กต์สนามขนานหลาย ๆ ตัวซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายเช่นในอินเวอร์เตอร์ (ดู - ทำไมอินเวอร์เตอร์สมัยใหม่ใช้ทรานซิสเตอร์มากกว่าไทริสเตอร์).

แต่ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ไม่สามารถขนานกันได้พวกมันต้องการตัวต้านทานที่ปรับระดับกระแสไฟฟ้าในวงจรของอิมิเตอร์ มิฉะนั้นเนื่องจากความไม่สมดุลในคีย์ผสมที่มีประสิทธิภาพหนึ่งในทรานซิสเตอร์สองขั้วจะช้าก็เร็วจะมีการสลายความร้อนกลับไม่ได้ ปัญหาสารประกอบที่ตั้งชื่อแทบไม่ได้ถูกคุกคามโดยคีย์ผสมของฟิลด์ คุณสมบัติความร้อนลักษณะเหล่านี้เกี่ยวข้องกับคุณสมบัติของ n- และ p-channel แบบง่ายและ ทางแยก p-nที่แตกต่างกันโดยพื้นฐาน

ขอบเขตของสิ่งเหล่านั้นและทรานซิสเตอร์อื่น ๆ

ความแตกต่างระหว่างสนามผลและทรานซิสเตอร์สองขั้วแยกสนามของการประยุกต์ใช้อย่างชัดเจน ตัวอย่างเช่นในวงจรดิจิตอลที่ต้องการปริมาณการใช้กระแสไฟฟ้าต่ำสุดในสถานะสแตนด์บายทรานซิสเตอร์วันนี้ใช้กันอย่างแพร่หลายมากขึ้น ในวงจรขนาดเล็กแบบอะนาล็อกทรานซิสเตอร์ชนิดเอฟเฟกต์ฟิลด์จะช่วยให้เกิดลักษณะเชิงเส้นตรงสูงของคุณสมบัติเกนในช่วงแรงดันไฟฟ้าและพารามิเตอร์เอาต์พุตที่หลากหลาย

วงจรแบบ Reel-to-reel มีการใช้งานอย่างสะดวกสบายในปัจจุบันด้วยทรานซิสเตอร์แบบ Field-Effect เนื่องจากช่วงของแรงดันเอาต์พุตเป็นสัญญาณที่สามารถทำได้ง่ายเกือบจะใกล้เคียงกับระดับของแรงดันไฟฟ้า วงจรดังกล่าวสามารถเชื่อมต่อเอาท์พุทของหนึ่งกับอินพุตของอื่น ๆ และไม่จำเป็นต้องมีตัว จำกัด แรงดันไฟฟ้าหรือตัวแบ่งบนตัวต้านทาน

สำหรับทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์การใช้งานทั่วไปของพวกเขายังคงอยู่: แอมป์, น้ำตก, โมดูเลเตอร์, เครื่องตรวจจับ, อินเวอร์เตอร์แบบลอจิกและไมโครวงจรตามตรรกะของทรานซิสเตอร์

ชนะฟิลด์

ตัวอย่างที่โดดเด่นของอุปกรณ์ที่สร้างขึ้นจากทรานซิสเตอร์สนามแม่เหล็กคือนาฬิกาอิเล็กทรอนิกส์และ ควบคุมระยะไกลสำหรับทีวี. เนื่องจากการใช้โครงสร้าง CMOS อุปกรณ์เหล่านี้สามารถทำงานได้นานหลายปีจากแหล่งพลังงานขนาดเล็กแหล่งเดียว - แบตเตอรี่หรือตัวสะสมเนื่องจากในทางปฏิบัติไม่ใช้พลังงาน

ปัจจุบันทรานซิสเตอร์สนามผลถูกนำมาใช้มากขึ้นในอุปกรณ์วิทยุต่างๆซึ่งพวกเขาประสบความสำเร็จในการแทนที่ไบโพลาร์ การใช้งานในอุปกรณ์ส่งสัญญาณวิทยุช่วยเพิ่มความถี่ของสัญญาณพาหะนำเสนออุปกรณ์ดังกล่าวที่มีภูมิคุ้มกันเสียงรบกวนสูง

มีความต้านทานต่ำในสถานะเปิดใช้งานในขั้นตอนเทอร์มินัลของเครื่องขยายเสียงความถี่สูง (Hi-Fi) ที่ซึ่งทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์และหลอดอิเล็กทรอนิกส์ถูกแทนที่สำเร็จอีกครั้ง

ในอุปกรณ์ที่ใช้พลังงานสูงเช่นซอฟต์สตาร์ทเตอร์ ทรานซิสเตอร์เกตไบโพลาร์หุ้มฉนวน (IGBT) - อุปกรณ์ที่รวมทั้งไบโพลาร์และทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ได้ประสบความสำเร็จในการแทนที่ thyristors.

ดูเพิ่มเติมที่: ประเภทของทรานซิสเตอร์และคุณสมบัติ